〜 イノベイティブな半導体、エレクトロニクス、エネルギー技術のソルーション 〜

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コラム 解説

対称性から観た半導体エピタキシャル結晶成長 (3)
〜 最密六方構造の半導体結晶の特徴 〜

Appendix 31, 2

  • 積層構造の表記方法7)

(1) Ramsdell表記:NSn

  • N : 一周期(ユニットセル)内の積層数
  • S : ユニットセルの対称性(C : 立方晶、H:六方晶、R:三方晶)
  • n : NSが同じグループ内での通し番号、省略されることも多い。

(2) Zhdanov表記:(m n . . . . . . .)k

  • m : 正方向へ一様にシフトして積層される層数
  • n : 反対方向に一様にシフトして積層される層数
  • . . . . :異なるm nペアの繰り返し
  • k : ユニットセル内の(m n . . . . . . .)の構造の繰り返し数。1の場合は省略される。
  • 面指数や方位指数と同様、n-n と記載されることもある。また、k = 1で構造が明瞭な場合には単にn とだけ記載されることもある。

(3) c-h sequence:c, h

 層構造(α構造 or β構造)が直近下層に対して入れ替わる層をh (hexagonal)、入れ替わらない層をc (cubic)として、1周期の積層構造を表す方法。例えば、3Cはc、2Hはh、4Hはch、6Hはcchとなる。

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