アイシーソルーションズ, LLP

SiCのMOSFETを利用していると、on抵抗が増加していく現象が観察されることがあります。これは、利用中にSiC-MOSFETのn^–ドリフト層中で、たくさんのショックレー型積層欠陥が成長してくることが原因です。成長した積層欠陥の形状を調べると、積層欠陥の成長原因の基底面転位の素性がわかります。n^–ドリフト層中に入りこんだ基底面転位の素性がわかれば、デバイスプロセスのどの部分を改良すれば良いのかがわかるかもしれません。この連載(12)は連載の最終回です。全体のまとめを示しています。長い連載のご精読ありがとうございました。